Nanostrukturierung mit EUV-Strahlung

Mit dem im Abschnitt EUV-Optiken vorgestellten integrierten EUV-Strahlführungssystem wurden Anwendungsuntersuchungen zur Wechselwirkung zwischen gepulster weicher Röntgenstrahlung und Materie mit dem Ziel der höchstauflösenden Direktstrukturierung durchgeführt. Dazu gehören Untersuchungen zur Farbzentrenbildung in LiF, zur photoinduzierten Ablation an Polymeren (z.B. PMMA) sowie die Ermittlung der Sensitivität von Photolacken für den EUV-Bereich.

: EUV-Direktstrukturierung durch Erzeugung von Farbzentren in LiF-Kristall (oben) und durch Ablation einer PMMA-Oberfläche mit EUV-Strahlung (links). Der Durchmesser des Bearbeitungsspots betrug 1 µm.

: Beugungsexperiment mit EUV-Strahlung: als beugendes Element diente ein aus Edelstahl geätztes Kreuzgitter, das vor dem Schwarzschild-Objektiv positioniert wurde. Die Abbildung eines Pinholes führt zu einem Beugungsmuster auf der PMMA-Probe. Links: AFM-Aufnahmen des Ablationsprofils; rechts: Vergleich mit Simulation

Weiterführende Informationen:

F. Barkusky, C. Peth, K. Mann, T. Feigl, N. Kaiser: Formation and Direct Writing of Color Centers in LiF using a Laser-Induced Extreme Ultraviolet Plasma in Combination With a Schwarzschild Objective, Rev. Sci. Instr., 76, 105102 (2005)

F. Barkusky, C. Peth, A. Bayer, K. Mann: Direct Photo-Etching of PMMA Using Focused Extreme Ultraviolet Radiation From a Table-top Laser-Induced Plasma Source, J. Appl. Phys., 101, 124908 (2007)